快捷搜索:

英特尔和美光研发出闪存芯片制造新技术

  英特尔和美光开发的闪存芯片制造技术

  据新华社圣弗朗西斯科8月15日电(记者毛磊)英特尔公司和美光公司(Micronbron)发布消息称,他们已经联合开发了闪存芯片制造技术,并计划使用其产品比现有产​​品更多的存储密度闪存芯片。基于34纳米快闪存储器芯片工艺的新技术可用于制造每单元存储3位信息的NAND型闪存芯片,而现有芯片通常每个单元存储2位信息。英特尔和美光公司已经试用32G闪存芯片采用新技术,使其比市场上同样的容量更小,更具成本效益。两家公司表示,新技术制造的产品预计将在今年第四季度量产。
 

您可能还会对下面的文章感兴趣: