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阻变存储器研究取得新进展

  电阻变化记忆研究取得新进展

  由中科院微加工与纳米技术研究所所长刘明研究员领导的下一代非易失性半导体存储器研究组在2009年在RRAM研究领域取得了新的进展。一篇名为“改进一篇题为“Au / ZrO2电阻转换性能”的论文发表在最近出版的IEEE Electron Device Letters,2009,30(12):1335-1337)中的“Resistive Switching Properties in ZrO2-based ReRAM with Implanted Ti Ions” / Ag结构的低电压非易失性存储器应用“也已被本刊物收到。在研究中,由刘明研究员领导的研究小组是基于与CMOS技术兼容的二元金属氧化物。通过适当的掺杂方法和工艺技术,选择合适的电极材料,深入研究该机制,进一步提高了基于掺杂二元金属氧化物材料的阻变存储器件的应用潜力,增强了器件的电阻切换特性和存储器性能的基础上,提高器件成品率。国家自然科学基金项目(973计划),国家高技术研究发展计划技术研究与发展计划(863计划)和国家自然科学基金委,微电子将继续研究在当前基础上取得的突破,并争取更大的进展(来源:中国科学院微电子研究所)

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