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忆阻器可进行布尔逻辑运算

  忆阻器布尔逻辑运算

  在“自然”杂志4月8日的一篇文章中,美国惠普公司的科学家表示,他们在忆阻器设计方面取得了重大突破,并发现忆阻器可以为数据处理和存储应用执行布尔逻辑运算。科学家们认为,公众将在三年内看到忆阻电路,或许取代目前看似“死胡同”的硅晶体管,最终改变整个电脑产业。
\\ u0026>惠普公司纳米技术研究实验室的高级专家斯坦·威廉姆斯(Stan Williams)表示,目前最先进的晶体管的尺寸从30纳米到40纳米不等,比生物病毒(生物病毒约为100纳米)要小。目前正在研制一款3纳米的忆阻器,在纳秒级内将其打开和关闭。他表示,在三年内,该公司生产的忆阻器型闪存,1厘米2就可以存储20G字节,该技术有望成为低功耗计算机和存储系统发展的里程碑。忆阻器是一种基于存储器的非线性电阻器,首先由教授1971年,加州大学伯克利分校的电子工程师蔡绍棠,但当时并没有纳米技术,于是他发现搁浅了。直到2008年5月,惠普科学家在“自然”杂志写道,他们终于成功地开发了这个工作ld的第一个忆阻器。通过施加不同方向和大小的电压,其电阻值可以改变。如果在半导体电路中使用不同的电阻值代表数字信号来实现数据存储也是有希望的。
\\ u0026>忆阻器与电容器,电感器和电阻器这三种基本电路元件不同,忆阻器仍能记住电源关闭时通过的电荷。这意味着,如果突然停止然后重新启动,则在用户关闭之前打开的所有应用程序和文件仍在屏幕上。目前这种用途不能将电阻,电容和电感的任何组合电路复制,因此,业内有专家认为,忆阻是电子工程中的第四个基本电路元件领域。研究人员去年在PNAS上写道,他们设计了一种新的方法来存储和检索三维忆阻器阵列的数据。新的解决方案使设计人员能够以类似于摩天大楼的方式堆迭数以万计的忆阻器,从而创造超高密度的计算设备,达到极限。威廉姆斯说,从2008年到现在,球队一直在提高忆阻器的切换速度,研究人员在实验室测试中表示,他们可以可靠地进行数万次的读写。另外,忆阻器也不同于IBM,Intel等公司开发的新型存储器芯片相变存储器(PCM),PCM采用的材料是可逆相变存储信息。同样的物质可以存在于固体,液体,气体,冷凝物和等离子体中,所有这些都称为相。相变记忆是利用特殊材料在不同阶段的阻力差异工作的。惠普表示,PCM开关速度较慢,可能需要更多的能源。 (来源:科技日报刘霞)

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