快捷搜索:

低压大规模集成电路关键技术获突破

  低压大规模集成电路关键技术突破

  技术日报2010年2月10日星期三新华社北京2月9日电(记者钱铮)日本东芝日前表示,通过调整内部控制静态随机存取存储器(SRAM)机制,使低电压SRAM误码率大幅下降,这是低压大规模集成电路发展的关键技术突破之一,东芝8日发布新闻稿,开发出解决设计效率低的实用新工具,测试人员使用0.7伏特(比通常低30%)的电源电压进行测试,结果显示SRAM误差的概率显着下降,只有原来使用0.7伏时的十分之一。大规模集成电路的发展趋势,这种集成电路的优点是降低了功耗,减少了集成电路产生的热量,集成电路进一步改善离子。困扰这一技术进步的瓶颈在于构成大规模集成电路SRAM的“单元”在低电压下极易出错。解决这个问题,你需要调整组件参数。点击

您可能还会对下面的文章感兴趣: