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惠普在忆阻器设计上再次取得重大突破

  惠普忆阻器设计再次取得重大突破

  4月8日,美国惠普科学家在“自然”杂志上写到,他们在忆阻器设计方面做出了重大突破,忆阻器发现布尔逻辑运算可以用于数据处理和存储应用。科学家们认为,公众将在三年内看到忆阻电路,或许取代目前看似“死胡同”的硅晶体管,最终改变整个电脑产业。目前,最先进的晶体管的尺寸从30纳米到40纳米不等,比生物病毒(生物病毒约为100纳米)还小,惠普纳米技术研究实验室的资深专家斯坦·威廉姆斯斯里兰卡表示,惠普目前正在研发3纳米忆阻器,开启和关闭时间仅需十亿分之一秒,他表示,三年后,该公司的忆阻器型闪存将容纳20G字节每平方厘米,是低功耗计算机和存储系统发展的里程碑。忆阻器是一种基于存储器的非线性电阻器,由加州大学伯克利分校电子工程师蔡绍棠教授在1971年首先提出,但当时没有纳米技术,他的发现被搁浅了。直到2008年5月,惠普的“自然”杂志的科学家写道,他们终于成功地开发了世界上第一个忆阻器,通过施加不同方向和尺寸的电压,其电阻值可以改变,如果使用不同的电阻值代表数字信号在半导体电路中实现数据存储也是有希望的。与忆阻器不同的是电容器,电感器,电阻器和三种基本电路元件,电荷仍然可以通过内存,这意味着如果突然停止然后重新启动,在用户关闭之前打开的所有应用程序和文件仍然在屏幕上,目前这种使用不能是电阻器,电容器的任何组合和电感的电路复制,因此,业内有专家认为忆阻器是电子工程的第四大领域的基础电路元件。去年,研究人员在专业人员美利坚合众国国家科学院的讲话指出,他们已经设计了一种从三维忆阻阵列中存储和检索数据的新方法。新的解决方案使设计人员能够以类似于摩天大楼的方式堆迭数以万计的忆阻器,从而创造超高密度的计算设备,达到极限。威廉姆斯说,从2008年到现在,球队一直在提高忆阻器的切换速度,研究人员在实验室测试表明,他们可以可靠地读写数千次。此外,忆阻器也不同于IBM,英特尔等公司开发的新型内存芯片相变存储器(PCM)。 PCM利用材料的可逆相变来存储信息。同样的物质可以存在于固体,液体,气体,冷凝物和等离子体中,所有这些都称为相。相变记忆是利用特殊材料在不同阶段的阻力差异工作的。惠普表示,PCM开关速度较慢,可能需要更多的能源。点击

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