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苏州纳米所超短碳纳米管电学性能研究取得进展

  苏州纳米超短碳纳米管电性能研究进展

  近日,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所在超短碳纳米管电性能方面取得突破性进展。该研究所的陈立麦研究小组长期从事单壁碳纳米管的电学性能研究,在最新的工作进展中,科学家利用介电显微成像技术克服了传统的超薄超短探测方法纳米材料电学性质的困难,首次通过检测低频电介质的极化响应,研究了不同长度的单壁碳纳米管的电导率,结果表明,电导率取决于金属的长度单壁碳纳米管,而半导体单壁碳纳米管相对较小,发现由于结构变化,单壁碳纳米管的结构存在固有的缺陷,随着纳米管长度的减小,缺陷密度单位长度相应增加,缺陷密度对金属碳纳米管电导率的影响管比半导体碳纳米管大得多。因此,当金属单壁碳纳米管的长度小于电子的平均自由程(1-2μm)时,电导率随着长度的减小而减小。有关结果的相关论文发表在“物理化学杂志”(Journal of Physical Chemistry),113,10337-10340上,由Nature Publishing的Asia Materials网站报道。据报道,自1991年发现以来,碳纳米管引起了广泛关注由于它们在许多领域的应用前景,特别是在纳米电子学领域,单壁碳纳米管由于其直径和手性的不同,可以具有金属或半导体的导电性能,可以取代传统的硅电子器件,但随着纳米电子器件尺寸的进一步缩小,碳管长度对电性能的影响逐渐成为人们关注的焦点。

  关键词:纳米

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