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微电子所开发成功超临界二氧化碳无损伤清洗设

  微电子已成功开发超临界二氧化碳无损清洗设备

  近日,微电子技术研究院先进技术研究中心(10室)景宇鹏研究员专案组成功研制出超临界二氧化碳无损清洗设备。该装置用于清洗硅片,清洗后颗粒明显减少,平均粒径小于传统清洗。与等离子清洗方法相比,该方法不会损伤硅片,同时减少工艺步骤,节省时间,提高工作效率。超临界二氧化碳无损伤清洗设备具有良好的温度和压力控制系统,并配有远程智能操作系统,是高校和科研机构的半导体技术平台。该器件有望解决微电子工业清洁工艺中的许多挑战,诸如在高纵横比结构清洁之后的蚀刻和灰化,清洁之后的多孔低介电材料的蚀刻和灰化,清洁之后的干燥,半导体器件的金属颗粒的清洁等待。另外,超临界二氧化碳的使用也可以在低温下进行气体橡胶清洗,硅基板深度蚀刻的高选择性,在晶圆的任意角度钻孔和切割,喷涂,可调应力HPCVD膜,MEMS牺牲层干释放等半导体技术。超临界二氧化碳无损清洗设备可以控制室内的压力和温度,使CVD等传统工艺中的半导体薄膜技术难以控制薄膜厚度和应力困境。同时,其二氧化碳缓冲三氟化氯蚀刻技术,也代表了无等离子技术的尖端技术。目前国内其他研究机构对无损超临界二氧化碳清洁技术的研究尚未形成工业成型设备。日本和美国,先进技术的领先制造商,只开发了实验样机。台积电等台积电的研究尚处于发展阶段。根据国际半导体蓝图(International Semiconductor Blueprint,ITRS)的预测,该技术目前处于评估阶段,直到2010年,该技术将在2010年之后才能实施。因此,微电子自主开发的超临界二氧化碳无损清洗设备不仅符合ITRS的发展趋势,而且还有很大的应用空间,特别是在高校和科研院所。

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