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三星推出40纳米级动态存储芯片

  三星推出40纳米动态存储芯片

  据韩国“中央日报”报道,全球领先的存储芯片制造商三星电子推出了全球首款40纳米32GB DRAM(动态随机存取存储器)模块,并计划开始量产(40亿纳米)工艺是指内部电路芯片的线宽减小到40纳米,芯片电路越薄,芯片的集成度和生产效率越高。三星电子于2009年3月实现了50纳米级16GB DRAM模块的大规模生产,仅一年多的时间,产能翻了一番,芯片生产效率提高了60%。最近,高性能服务器要求内存容量增加1000倍于GB(高于TB(吉比特)),所以使用40-nm等级的32GB DRAM预计会非常大。配备半导体服务器(中型计算机)和台式机,这种类型的PC将比以前的产品增加一倍的主存储容量。三星电子副总裁金东寿表示:“由于采用超节电技术,引入40纳米32GB DRAM模块增加了主存,功耗降低,需要大容量的内存服务器以及具有高性能,低功耗存储解决方案的个人电脑。“例如,拥有96GB容量的动态存储服务器,具有40纳米4GB DDR3动态存储器的产品速度超过40纳米2GB DDR3动态存储器。该型号消耗高达35少用电。三星计划今年上半年在服务器和个人电脑的动态内存中将40纳米级DDR动态内存的供应量增加到90%以上。三星芯片项目部内存业务总经理赵秀仁表示:“今年,40纳米32GB DRAM模块将会大批量生产。同时,三星电子已经开发出更先进的30纳米生产工程技术,30纳米产品将在下半年推出,继续抢占市场。 “(薛焱)\\
 

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